美光新加坡Fab 10工厂扩建结束，年内将展开96层堆叠3D NAND出产

  美光上一年开端就扩建他们在新加坡的Fab 10工厂，扩展旨在进行新的3D NAND工艺节点转化，而且坚持和现在相同的晶圆产值，上星期他们举办了Fab 10 Expansion的开幕典礼，新建的无尘作业时可以出产更多堆叠层数，存储密度更大的闪存。

  美光Fab 10 Expansion是由本来的Fab 10N和Fab 10X所组成的，依据官方的数据，厂房占地面积165000平方米，不过美光并们没有泄漏无尘厂房面积，以及有没有扩建其他东西。现在新厂房正在进行设备装置，估计本年心里的厂房就可以出产96层堆叠的3D NAND，他们只要求产能与现在相同，契合商场对闪存的需求就可以了，并不会添加产能。

  跟着3D NAND堆叠层数的添加，每个晶圆必须在化学气相堆积机器中花费更多的时刻，这在某种程度上预示着蚀刻它们需求更加多的时刻，这在某种程度上预示着假如想新工艺的闪存保持和现有相同的产值就必须在无尘厂房中装备更多多的CVD和蚀刻机，所以美光需求扩建厂房来保持闪存产值，当然了闪存晶圆的产值尽管没变，可是产出的闪存容量就要大得多了。

  除了扩建新的厂房外，美光还扩展了他们在新加坡的研制事务，他们的NAND Center of Excellence将进行技术开发与产品工程，期望以此来进步Fab 10的产值和出产功率。